億昇精密選擇性波峰焊(查看)-惠州高壓測(cè)試 ：

ICT測(cè)試點(diǎn)的設(shè)計(jì)要求：

3.如果在測(cè)試面放置高度超過(guò)4mm的元器件，旁邊的測(cè)試點(diǎn)應(yīng)避開(kāi)，距離4mm以上，否則測(cè)試治具不能植針。

4.每個(gè)電氣節(jié)點(diǎn)都必須有一個(gè)測(cè)試點(diǎn)，每個(gè)IC必須有POWER及GROUND的測(cè)試點(diǎn)，且盡可能接近此元器件，在距離IC 2.5mm范圍內(nèi)為好。

5.測(cè)試點(diǎn)不可被阻焊或文字油墨覆蓋，否則將會(huì)縮小測(cè)試點(diǎn)的接觸面積，降低測(cè)試的可靠性。

6.測(cè)試點(diǎn)不能件或大元件所覆蓋、擋住。

7.不可使用過(guò)孔或DIP元件焊點(diǎn)做測(cè)試點(diǎn)。

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視頻作者：深圳市億昇精密光電科技有限公司

       ICT測(cè)試盲點(diǎn)的原因。

　　1.當(dāng)電阻與跳線并聯(lián)時(shí)，無(wú)法測(cè)量電阻

　　2.無(wú)法測(cè)量與跳線并聯(lián)的電感（或變壓器，繼電器）。

　　3.電感的錯(cuò)誤部分是跳線或短路，無(wú)法測(cè)試。

　　4.小型電容器與小型電阻器并聯(lián)銜接，無(wú)法測(cè)量小型電容器。

　　5.電感與電阻器或電容器及其他組件并聯(lián)銜接。電阻或其他組件無(wú)法測(cè)量。

       6.二極管以相同方向并聯(lián)銜接，并且檢測(cè)不到缺失的部件之一或空焊。

　　7.不能測(cè)量與小電阻并聯(lián)組件并聯(lián)的組件。

ICT測(cè)試盲點(diǎn)的原因

8.電容器的電容太小，測(cè)試通常不準(zhǔn)確。

9.IC，晶體振蕩器，可調(diào)電阻器（VR），熱敏電阻，浪涌吸收器和其他組件的內(nèi)部性能無(wú)法測(cè)量或無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試。

10.二極管和晶體管與大電容器并聯(lián)銜接，無(wú)法測(cè)量二極管和晶體管。

11.組件的上下點(diǎn)在同一個(gè)短路組中，并且這些組件不可測(cè)試。

12.在IC空焊測(cè)試過(guò)程中，假設(shè)被測(cè)IC的引腳和電容器并聯(lián)銜接，則該引腳假設(shè)斷開(kāi)則不能中止測(cè)試。

13.小電容器與大電容器（C1//C2）并聯(lián)銜接，無(wú)法測(cè)量小電容器。普通來(lái)說(shuō)，C2的電容是C1的10倍以上。C1是不可預(yù)測(cè)的。